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AI 淺解之「AI 開發流程」: AI，即人工智慧，是一個很廣泛的概念，即使不在科技圈，在日常的新聞、宣傳中，也能看到許多 AI 的身影。AI 概念遍布許多行業，金融圈，通過 AI 來判斷股票的漲跌，智能家居圈，語音識別，人臉識別產品也屬於 AI 產 ...; 分类: 嵌入式系统 2025-2-18 09:17

AI 淺解之「AI模型」: 在科技日新月異的今天，AI 正以前所未有的速度重塑著我們的世界。作為這一革命性技術的核心驅動力- AI模型，是我們了解 AI ，學習 AI，研究 AI 過程中非常重要的一部分。這些看似神奇的模型，實則是由複雜算法和龐大 ...; 分类: 嵌入式系统 2025-2-18 09:16

AI 淺解之「邊緣人工智慧」: 在人工智慧這一宏大的新興領域中，邊緣人工智慧是其中的一塊，而邊緣人工智慧正逐漸成為硬體產品相關行業矚目的焦點。那麼，邊緣人工智慧究竟是什麼呢？它為何能在數據的邊緣地帶展現出如此強大的能力，為何能夠引領 ...; 分类: 嵌入式系统 2025-2-18 09:15

基於TOSHIBA Power MOSFET 的結構和特徵: 本篇我們將介紹Power MOSFET的結構和特徵給大家認識,首先我們會介紹Power MOSFET的內部結構做介紹,在比較TOSHIBAPower MOSFET與雙極元件 bipolar transistors的內部結構,最後在 Power MOSFET和雙極元件 bipolar tran ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:50

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 3: 繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。圖1. 雪崩能量測試電路(註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation o ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:49

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 2: 我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1，公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET） ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:48

基於TOSHIBA MOSFET 的雪崩能量 (EAS) 計算 -Part 1: 一般在使用MOSFET時,當MOSFET電壓超過MOSFET的擊穿電壓時。就會發生擊穿現象和電流流動。這稱為"雪崩擊穿"此時流過的電流稱為雪崩電流，作用在MOSFET上的能量稱為雪崩能量。本篇我們在介紹如何使用以下方法計算與雪 ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:48

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 2: 本篇將介紹 TOSHIBA MOSFET 的 MOSFET SOA的 Temperature derating.如圖一所示,圖一:MOSFET SOA(註一:Derating of the MOSFET Safe Operating Area)這裡我們舉一個例子說明,當Tc= 100°C 計算如下, 圖二顯示, 當MOSF ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:46

TOSHIBA MOSFET 的MOSFET Safe Operating Area (SOA)- Part 1: 一般我們在MOSFET的選用上,都會初步的考慮MOSFET的VDS,IDS,Rdson,切換速度等參考,但時間裝上客戶產品時往往都需要考慮環境溫度或是暫態時的VDS/IDS等,通常不外乎就是用SOA 來評估MOSFET是否操作在安全工作區域(Safe ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:43

Destruction of MOSFET Body Diode -Part3: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode,逆向回復時的電壓電流的四個區間的動作行為,這一個Part我們將介紹,MOSFET的Body Diode的損壞方式.MOSFET的Body Diode的損壞,會在逆向恢復期間,通常會有一個高電壓(Vds)瞬間施加到B ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:42

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 2: 我們已經介紹了MOSFET的Body Diode的結構,本篇我們將透過電壓和電流曲線,更加了解MOSFET的Reverse Recovery Operation(反向恢復操作).MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向 ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:41

Destruction of MOSFET Body Diode -Part 1: MOSFET 在Drain 和 Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.因此,除了MOSFET結構之外,p Drain層、n-漂移層和n+基板在Drain和S ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:41

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 3: 我們已經介紹了 MOSFET 的旁路二極體的逆向回復電流，接下來我們將介紹MOSFET切換時Turn on 和 Turn off 的Vds dv/dt 波形探討,本篇會已先介紹MOSFET Turn on 時的Vds dv/dt 波形，本分析都會以圖一作為電路分析,並 ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:39

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 - Part 2: 本篇我們將介紹,MOSFET內部的二極體對MOSFET的影響.當逆變器和其他帶有電感性負載的電路在上下臂中有一對 MOSFET 時,電流會在它們開關時的反向恢復期間流過二極體.本篇討論二極體 dv/dt,下面我們將利用半橋架構舉例 ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:38

TOSHIBA MOSFET - dv/dt 對 MOSFET 的影響 -Part 1: MOSFET 的汲極(D)和源極(S)之間VDS電壓,假如有著高 dv/dt 可能會導致MOSFET產生問題.本篇將介紹出現這種現象的原因和對策.dv/dt表示電壓隨時間的變化率,用來表示MOSFET的開關瞬態週期或開關影響引起的VDS電壓的變化 ...; 分类: 初学入门 2025-2-17 08:37

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