三极管的主要参数

    1．电流放大倍数

    （1）共射电流放大倍数β

    β定义为u_CE为常数时，集电极电流i_C的变化量与基极电流i_B的变化量之比。即

    （2）共射直流电流放大倍数

    当忽略了穿透电流I_CEO时，近似等于I_C与I_B值比，即

    在放大区，Δ值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取ΔiCΔiB，即可计算出，如图1.3.6所示。

图1.3.6　图解法确定

    β值是衡量三极管放大能力的重要参数，所以应该有一定的值，但过高的β值影响三极管的线性度和稳定性，所以一般三极管的β值在几十到上百之间。

    当晶体管工作在放大区时，β与的值近似相等。

    （3）共基直流电流放大倍数

    共基接法时，晶体管电流放大能力就体现在的大小。定义为集电极电流变化量Δi_C与发射极电流变化量Δi_E之比。即

    （4）共基直流电流放大倍数

    当忽略了穿透电流I_CEO时，近似等于集电极电流I_C与发射极电流I_E之比，即

    一般也有=。

    根据β和的定义，有

    2．反向饱和电流

    （1）集电极-基极间反向饱和电流I_CBO

    指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。I_CBO主要由少子运动产生，收温度影响较大。一般情况下硅管I_CBO的很小，可达到纳安数量级，锗材料小功率管的I_CBO一般在几微安至几十微安之间。

    （2）集电极-发射极间穿透电流I_CEO

    指基极开路时，集电极与发射极之间的电流。通常也称其为穿透电流。它体现了i_B对i_C的失控现象。且有

I_CEO=（1+β）I_CBO

    β值越大I_CEO也越大。而且I_CEO受温度的影响很大，当温度上升时，I_CEO增加很快，所以，应该综合考虑三极管的β值和I_CEO。

    3．极限参数

    （1）集电极最大允许电流I_CM

    当集电极电流增加时，β就要下降，当β值下降到线性放大区β值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流I_CM。至于β值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当I_C＞I_CM时，并不表示三极管一定会过流而损坏。

    （2）集电极最大允许耗散功率

    集电极电流通过集电结时所产生的功耗，P_CM=i_C　u_CB　≈i_C　u_CE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用u_CE取代u_CB。三极管的功耗可以在输出特性曲线上用功耗曲线表示，见图1.3.7。

图1.3.7　三极管的功耗曲线

    （3）集-射极反向击穿电压

    反向击穿电压表示三极管两个电极间承受反向电压的能力，第三个电极可以是开路、短路等不同的状态，其测试时的原理电路如图1.3.8所示。

    U_(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路（Open）。

    U_(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。

    三极管在使用时均不允许超过击穿电压值，并留有余量，这两个击穿电压有如下关系：

    U_(BR)CBO＞U_(BR)CEO

(a)　　U_(BR)CBO　测试电路　　　　　　　　　　(b)　　U_(BR)CEO　测试电路

图1.3.8　三极管击穿电压的测试电路