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电源技术/新能源

I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法: 雙脈衝測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應用為例，如下圖，通過調節直流母線電壓和第一個脈衝持續時間，可以在第一個脈衝結束和第二個脈衝開始時捕捉到被測器件 ...; 2024-4-25 08:42

T-NPC三電平電路的雙脈衝與短路測試: 1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈衝測試方法由於技術的發展和應用的需要，T型三電平應用越來越廣，我們開發了IGBT7 1200V 62mm共發射極模塊，最大規格電流為800A，以及PrimePACK™3+封裝的的共集電極模塊，規格為24 ...; 2024-4-25 08:40

解析LLC諧振半橋變換器的失效模式: 在功率轉換市場中，尤其對於通信/伺服器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經成為最具挑戰性的議題。對於功率密度的提高，最普遍方法就是提高開關頻率，以便降低無源器件的尺寸。零電壓開關(ZVS)拓撲因具有 ...; 2024-4-17 13:09

談談SiC MOSFET的短路能力: 在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間 ...; 2024-4-12 08:50

使用SCR設計的浪涌電流抑制電路: 提高功率密度和可靠性是電源設計的趨勢，使用半導體器件替代機械部件是最簡便的方法。在AC-DC電源啟動瞬間，由於大容量電解電容的充電效應，會產生非常高的電流尖峰，該浪涌電流在線路上引起的壓降，可能影響連接到 ...; 2024-4-12 08:48

STPOWER GaN MOS 開創更優的性能的氮化鎵: ST即推出合封的氮化鎵MOS --MasterGaN 系列後，又推出了單管GaN MOS---STPOWER GaN ，讓我們看看其先進的性能：STPOWER GaN電晶體是基於氮化鎵 (GaN) 的高效電晶體，而氮化鎵是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉換解 ...; 2024-4-12 08:47

ST--E-mode GaN 氮化鎵驅動設計注意事項: 1.氮化鎵GaN按照製造工藝，可以分為常開的耗盡型（D-mode）和常關的增強型（E-mode）兩種類型, ST 氮化鎵GaN 是E-mode (P-GaN) 工藝，以下的討論都基於P-GaN 。在電源系統中，對於所有的功率器件，選擇正確的柵極驅 ...; 2024-4-12 08:45

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？: 寄生导通问题由于NTH4L022N120M3S的阈值电压具有 NTC，因此在最高结温TJ(MAX)= 175°C时具有最低值。即使数据表中的典型VGS(TH)为2.72V，但在考虑样品25%的工艺变化和温度系数的最坏情况下，它可能会降至1.5V。这意 ...; 2024-3-28 13:22

PFC 及其常見的拓撲介紹: Hi，大家好，隨著越來越多的電子設備接入電網，這大大的增加了電網的失真幾率，也增加了配電網產生問題的風險。為了使得這些問題得到緩解，就需要電源設計需要先進的功率因素矯正（PFC）電路來滿足嚴格的功率因素（P ...; 2024-3-27 16:29

LLC 工作原理及其常見的拓撲介紹: i，大家好，上次我們有介紹在 AC/DC 電源上 PFC 部分的工作原理和常見拓撲介紹，詳情請看【Industrial Power】PFC 及其常見的拓撲介紹 - 大大通(簡體站) (wpgdadatong.com.cn)，這裡就不在贅述『而隨著不斷增加的開 ...; 2024-3-27 16:28

离线式反激转换器的反馈设计: 离线式反激转换器 (off-line flyback converter) 的反馈控制经常困扰着电源工程师，因为牵涉到连续导通模式 (continuous conduction mode, CCM) 与非连续导通模式(discontinuous conduction mode, DCM)的小信号模型 ...; 2024-3-19 09:49

初级侧反饋控制 (PSR) 电源供应器的缆线补偿: 缆线补偿是用来补偿缆线阻抗因电流流经而产生的电压降，以便提供电池充电器等应用一稳定充电电压的方法。本应用须知介绍一种新的、被称为缆线减法补偿 (cable minus compensation) 的补偿方法，并以之为例来说明在初 ...; 2024-3-19 09:36

如何消除反激式转换器于启动期间MOSFET之过应力: 本应用文件从三大方向探讨“如何有效消除反激式转换器于启动期间MOSFET之过应力”：从RICHTEK内嵌软启动功能之反激式转换控制器设计，再到系统回路稳定度与开关管之应力关系，最后带入被动式电压箝位RCD缓冲电路分析 ...; 2024-3-19 09:32

如何测量功率回路中的杂散电感: 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。影 ...; 2024-3-18 16:29

直流超快充电桩方案设计必知的常见拓扑解析: 充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车的一个主要考虑因素，为了缩短充电时间，业界正在转向直流快速充电桩(DCFC)和超快速充电桩。超快速DCFC和超快速充电桩绕过了电动汽车的车载充电机(OBC)，直接向电池提供更⾼ ...; 2024-3-18 16:26

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