基于InnoGaN高效超薄LED驱动电源方案分析

总部位于广东珠海的英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。且采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。英诺赛科虽然成立不足 10 年，但发展迅猛，目前产品囊括了 40V - 650V 氮化镓器件，拥有500+ 的研发人员，目前拥有珠海和苏州两个 8英寸的氮化镓晶圆厂，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

众所周知，氮化镓材料禁带宽度大，具备击穿电场强、热导率高、电子迁移速率高等特点，能够设计出高频高效、高功率密度的解决方案，适合消费电子、数据中心、汽车等领域多方面的应用，但在具体的方案设计上仍然具备一定的挑战。作为行业领先的氮化镓IDM公司，英诺赛科的团队自行研发和设计的氮化镓功率器件达到了国际的先进水平，且凭借资深的团队经验和能力更是根据市场需求推出了一系列极具竞争力的快充参考设计方案，比如经典的 40W、140W、240W 的解决方案，且这几个典型的方案效率均达到 95%+。目前英诺赛科的产品已经广泛的应用在消费类电子、大型数据中心、激光雷达等领域有很大的市场占有率，在未来，英诺赛科也将在储能、新能源汽车、基站等领域有更多的布局。

在 7 月 7 日的线上研讨会中，英诺赛科的市场工程师 黄佳鑫和研发研发工程师蔡辉特别针对英诺赛科产品Roadmap、经典解决方案等进行了详细的介绍。随着市场的发展，传统的 LED 驱动电源已经没办法满足大家对于产品小型化、高集成化、超薄化等的要求，反之 GaN 的高频、高效等特性就有了明显的优势，对于如何实现LED驱动电源的超薄化这个问题蔡辉在研讨会中更是提供了思路，同时也同大家分享 InnoGaN 的 200W 超薄 LED 驱动电源设计解决方案。

英诺赛科的 200W 超薄 LED 驱动电源设计解决方案采用了超薄的设计方式，采用 PFC+LLC架构，内置 3 颗英诺赛科的 GaN 开关管，其中 PFC 采用的是英诺赛科的 INN650D150A 的 GaN 单管，最大导通电阻 150mΩ 的器件；LLC 采用的是 2 颗 INN650D260A 的器件，最大导通电阻可达 260mΩ 。在 230V 满载时效率可高达 96%，整个 PCBA 的尺寸仅有 13mm，整个设计方案既高效又轻薄，完全可以满足用户的各种需求。英诺赛科的在 GaN 等市场上的发展迅猛，市场份额和技术也是不断在提升。

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