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新型IGBT系统电路保护设计的解决方案

2013-12-1 21:36| 发布者: lfcx| 查看: 1370| 评论: 0|来自: 网络

摘要: IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术,将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压 ...

新型保护模式:将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管(TVS)。一般栅极驱动电压约为15V,可以选型SMBJ15CA。该产品可以通过IEC61000-4-5浪涌测试10/700US 6kV。  

TVS反应速度极快(达PS级),通流能力远超稳压二极管(可达上千安培),同时,TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过 IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。  

将传统电阻RG变更为正温度系数(PPTC)保险丝。它既具有电阻的效果,又对温度比较敏感。当内部电流增加时,其阻抗也在增加,从而对过流具有非常好的抑制效果。

 

图3:传统保护模式和新型保护模式电路对比

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路过

雷人

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