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驱动电路设计（三）---驱动器的隔离电源杂谈: 驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确 ...; 分类: 初学入门 2025-4-2 10:03

驱动电路设计（二）——驱动器的输入侧探究: 驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如 ...; 分类: 初学入门 2025-4-2 09:55

驱动电路设计(一)--驱动器的功能综述: 驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用 ...; 分类: 初学入门 2025-4-2 09:42

SiC JFET Cascode应用指南完整版:Cascode结构和开关特性: 碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JF ...; 分类: 初学入门 2025-4-2 09:30

鋰離子電池的二次保護：保險絲元件的功能與發展: 提升電池安全性的保護技術鋰離子電池自1991年問世以來，由於其高電壓和低自放電率，迅速成為行動裝置的標準電池。為了提高其安全性，我們開發了自控保護器（SCP）作為一種二次保護元件，用於防止過充電和過電流。多 ...; 分类: 初学入门 2025-3-31 09:01

世平安森美SiC MOSFET 柵極驅動優化探討: 前言:對於高壓開關電源的應用,碳化矽(SIC-MOSFET)對比傳統矽(SI-MOSFET)或IGBT，相比具有顯著的優勢。在開關超過1,000V的高壓應用下，切換頻率以數百kHz運行並非易事，即使是最好的超結矽MOSFET也難以勝任。在傳統應 ...; 分类: 初学入门 2025-3-31 08:53

从零开始学运算放大器笔记一 | 认识运算放大器: 目录1.运算放大器简介2. 运算放大器的分析前提3. 运算放大器的重要参数和测量方法（一）1. 运算放大器简介运算放大器(又称”运放“，英文全拼为Operation Amplifier，缩写为OP AMP)是一种模拟电路模块，它采用差分电 ...; 分类: 初学入门 2025-3-28 15:46

平面技术PK沟槽技术：探索碳化硅MOSFET的持续演进: 随着电动汽车动力总成和能源基础设施对碳化硅（SiC）功率器件需求的增加，加速了市场的增长。在这一过程中，终端用户需求不断提高以及日益增大的盈利压力促使各企业在其电力电子应用中考虑采用SiC沟槽技术（Trench） ...; 分类: 汽车电子 2025-3-26 09:58

栅极驱动器选得好，SiC MOSFET高效又安全: 硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（ ...; 分类: 初学入门 2025-3-26 09:52

IGBT并联设计指南，拿下！: 栅极电阻关于栅极驱动和返回路径的阻抗匹配问题，已有很多论述。众所周知，阻抗匹配越好，IGBT 的功率和电流均衡就越好。关于这个问题的大多数讨论，都建议必须使用单独的栅极驱动电阻。为每个 IGBT 提供一个栅极电 ...; 分类: 初学入门 2025-3-26 09:46

要求苛刻的工业应用，为什么建议选电感式传感器？: 机器人和协作机器人（cobots）能力的提高，意味着它们在工厂车间里可以承担更多的工作，处理更复杂的任务，运行速度比以前更快，同时还能与人类更加紧密地合作。这些变化意味着，在工业应用中，传感器需要具备极高的 ...; 分类: 汽车电子 2025-3-26 09:38

一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术: 交通安全是一项巨大的挑战--每年有 110 多万人因道路交通事故丧生1，另有约2000万到5000万人受伤。造成这些事故的一个主要原因是驾驶员失误2。汽车制造商和政府监管机构一直在寻找提高安全性的方法，近年来，先进驾 ...; 分类: 汽车电子 2025-3-26 09:34

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解: Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源 ...; 分类: 初学入门 2025-3-26 09:29

從矽到碳化矽過渡，碳化矽Cascode JFET 為何能成為破局者？: 電力電子器件高度依賴於矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵高電子遷移率電晶體（GaN HEMT）等半導體材料。雖然矽一直是傳統的選擇，但碳化矽器件憑藉其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較於矽，碳化矽具備多項技 ...; 分类: 初学入门 2025-3-26 08:36

一文详解开关电源的同步整流技术: ●同步整流的分类。●同步整流的驱动方式●同步整流的MOSFET同步整流简介●高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小，功耗的不断降低，要求供电电压也越来越低，而输出电流则越来越大。●电源本身的高输出电流、低成本 ...; 分类: 初学入门 2025-3-26 08:33

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