 图8：对基于MOSFET的电路板并工作在22 V电源电压、6.639 MHz频率、23.6Ω负载的条件下进行测量的结果 系统可以在高达20 V电源电压（12.5 W负载功率）使用对流散热（图9）。在20 V以上则必需强制使用空气散热方式，以防其中一个于匹配电网的电感器的温度超过摄氏150度。  图9：含氮化镓无线发射电路板的热成像，器件工作在20 V电源电压、6.639 MHz频率、23.6Ω负载（具12.5 W功率负载）及环境温度为摄氏28度。 图10给出对基于氮化镓及基于MOSFET器件的无线电源电路的功率损耗进行微细分析，可得出各种损耗包括场效应晶体管开关（传导及开关）、栅极驱动器、发射电路板（初级线圈）、接收线圈（次级线圈）及整流器（传导及电容性）损耗。 |
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