eGaN FET与硅器件比拼之低功率无线电源转换器

2014-2-22 21:56| 发布者: 闪电| 查看: 109| 评论: 0|来自: 网络

摘要: 作者：宜普电源转换公司应用总监Michael De Rooij博士、应用副总裁Johan Strydom博士引言无线电源传送应用在通用产品如手机充电器日渐受欢迎。大部分的无线电源解决方案专注于与工作频率约在200 KHz的感应线圈解决 ...

实验结果

在给定的不同直流负载电阻值，初步测试可决定整套线圈的最高工作频率。在固定的23.6Ω负载，器件的工作峰值频率为6.639 MHz。图6展示负载功率为效率（包括基于氮化镓及基于MOSFET器件的功率放大器的栅极驱动电路功耗）的函数，其固定负载阻抗值为23.6Ω，工作频率为6.639 MHz。

图6：在固定负载电阻条件下，基于氮化镓场效应晶体管和基于MOSFET的无线电路板之间的直流输入直流输出效率比较（包括栅极驱动器功耗）。该效率是输出功率的函数。

基于氮化镓场效应晶体管的装置的波形图是在22 V电源电压时取得（图7），基于MOSFET器件的装置看图8。波形图展示了较低栅极电压（青色部分）、开关节点（紫色）、发射线圈的输入电流（绿色）及接收线圈的输出电压（黄色）。我们使用Athena Energy [11]制造的Rogowski线圈电流探测器来探测线圈电流。在整套线圈其中的一个匹配电感器绑着pick-up传感器。