eGaN FET与硅器件比拼之低功率无线电源转换器

2014-2-22 21:56| 发布者: 闪电| 查看: 108| 评论: 0|来自: 网络

摘要: 作者：宜普电源转换公司应用总监Michael De Rooij博士、应用副总裁Johan Strydom博士引言无线电源传送应用在通用产品如手机充电器日渐受欢迎。大部分的无线电源解决方案专注于与工作频率约在200 KHz的感应线圈解决 ...

此外，我们使用德州仪器公司内含氮化镓场效应晶体管的LM5113 半桥栅极驱动器[10]来驱动氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件，并选用紧凑型的BGA封装（2 mm x 2 mm）。请注意，在这个应用中的LM5113 集成电路工作在远高于它本来设计的5 MHz频率。 LM5113 逻辑电路可工作在非常高的开关频率，可是内置自举电源需要最低限度约100 ns低侧on-time为高侧电源充电至所需电压。结果是在LM5113电路需加入额外的外置自举电源，之后再加入一个LDO稳压器以确保在上方的场效应晶体管电路的电压为5 V。高开关频率也代表LM5113的功耗可以非常大，所以把器件放在散热器底部有助散热。

为评估而设，图5展示嵌入了分流电路及最低负载的接收电路板的放大图，使用嵌入式Kelvin连接以取得准确的电流及电压测量值。