从图4发射电路板的放大图可以看到装贴了散热器，替氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件散热。我们使用单一电路板同时评估含氮化镓及MOSFET器件的电路，并在测试时使用相同发射线圈、接收线圈及接收电路板，目的是限制唯一可比的因素在于功率放大器开关技术方面。  图4：宜普公司的发射电路板的主要元件及各分部的图片 我们使用Advanced Thermal Solutions[14]的15 mm长 、15 mm阔及 14.5 mm高的散热器，并使用Wakefield热接口物料型号173 [7]的薄片，把散热器装贴及平放于氮化镓场效应晶体管及MOSFET器件的上面。 |
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