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Onsemi NCP/NCV51752 – 3.7 kV隔離式高效能/超快速開關 SiC MOS 驅動器:內建負電壓輸 ...

2024-8-16 09:07| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: 概述:1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器,具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。 它專為非常快速的開關而設計,以驅動功率 SiC MOS電源開關.2.NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲,並具有在閘極驅動迴路中 ...

概述:

1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器,具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。 它專為非常快速的開關而設計,以驅動功率 SiC MOS電源開關.

2. NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲,並具有在閘極驅動迴路中產生負偏壓的整合機制,從而為任何類型的 SiC 提供安全關閉狀態.

閘極驅動電壓範圍:

轉換器的工作電壓由下式決定開關元件的規格,例如Si MOSFET,或 SiC MOSFET。 必須確認的是轉換器輸出電壓不超過最大開關元件的閘極電壓值。閘極驅動的正電壓應該要足夠高足以確保閘極完全打開。 還需要確保驅動電壓不超過絕對值最大閘極電壓。 Si−MOSFET 通常使用 +12V 來驅動,+15V常用於驅動SiC,閘極GaN 的電壓為+5V。 當閘極電壓為0−V時,可以滿足所有設備的關閉條件。 一般來說,MOSFET 不需要負偏壓閘極驅動,但有時用於 SiC 和GaN MOSFET 裝置。 強烈建議使用負偏壓閘極驅動器為了SiC 和 GaN MOSFET 在開關應用中的應用.

以下是適用的閘極驅動電壓對於 Si MOS, SiC MOS, and GaN:



另NCP/NCV51752已經有建立適合的料號:

參照NCP/NCV51752一般應用線路:




NCP/NCV51752 EVM 也可應用於不同的 SiC MOS 包裝:



特色亮點:
1. 透過 3.7kVRMS 隔離柵
2. 36 ns +/-5 ns延遲時間
3. >=200 V/ns dV/dt 抗擾度
4. 最長 20 ns 零件間偏差
5. 內建嵌入式負偏壓生成電路

好處:
1. 高效率切換
2. 高穩健性
3. 更簡單的設計
4. 安全的 SiC MOS關斷

其他特性:
1. 典型電流驅動能力高達 4.5A/9A
2. Vdd 高達 20V
3. 可程式輸入邏輯電壓啟用功能
4. 不同的 UVLO 選項:6/8-V 和 12/17-V
5. 不同的負偏壓選項:-2/-3/-4/-5 V

市場與應用:
1. 離線交流-直流電源中的隔離轉換器
2. 馬達驅動與直流轉交流太陽能逆變器
3. HEV 和 EV OBC車用充電器


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