經常有研發工程師和器件工程師問到這樣的問題:兩個不同公司的功率MOSFET管,耐壓和導通電阻基本相同,標稱的電流也相同,該如何判斷哪一個功率MOSFET管的雪崩能量更高,雪崩能力更強? MOSFET A 測試條件:起始結溫TJ=25°C,電感L=0.1mH,IAS=30A,EAS=45mJ。 由於二個功率MOSFET的雪崩電流和雪崩能量的測試條件不同,使用不同的電感值,因此無法確定哪一個雪崩性能更好。 1、AOS:大多數功率MOSFET使用L=0.1mH。 AOS AON6590:L=0.3mH,數據表標明用去耦電路測量。 2、不同公司電感都不相同,有些沒有標明。 TK100E10NE:L=42uH,Toshiba數據表標明使用非去耦電路測量,比同樣條件下去耦電路的值高。
IRFB4310:L=0.35mH,IR數據表標明用去耦電路測量。 ![]() IRF7437:L=0.069mH,L=0.095mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。 IRFB7430:L=0.15mH,L=1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。 IRFB7540:L=86uH,L=1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。 FDMS86101:L=0.3mH,L=0.1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。 FDMS86101:L=0.3mH,L=0.1mH,測試了二個電感條件下的雪崩能量,數據表標明用去耦電路測量。 IR和Fairchild的有些功率MOSFE的數據表中,使用不同的電感值測試雪崩能量,可以看到:電感值大,UIS雪崩能量也大。看下面另外二個產品,也可以說明這一點。 TI CSD18502KCS:數據表標明用非去耦電路測量電路。 從前面結果可以看到,不同公司的功率MOSFET,同一公司不同型號功率MOSFET,都有可能使用不同的電感測量UIS雪崩能量,使用測量電路也不相同,數據表標示結果在很大程度上沒有可比性,也不能直接說明哪一個功率MOSFET的UIS雪崩能量更高,抗雪崩能力更強。同一個器件,使用的電感值越高,UIS雪崩能量更高。由於沒有統一的標準,有些公司在測量UIS雪崩能量過程中使用較大的電感,這樣使器件在數據表中可以標出比較大的雪崩能量,因此工程師要仔細的研究數據表,比較測試條件和測試電路,從而正確判斷功率MOSFET的UIS雪崩能量。 |