高效率、高可靠性——大功率T型三电平IGBT方案

A2：Snubber吸收电容可进一步降低换流回路杂感，抑制震荡和减小尖峰，有利于扩充芯片安全工作区（在更高的直流电压下开关）。一般有两种方式，可根据实际应用来选择，如下图所示（方式1-用来降低换流杂感，方式2-重点保护外管过压）：

A3：从半导体特性上看，高压芯片的确要比低压芯片导通压降略高。但基于第七代芯片技术的设计对此进行了优化，其IGBT/Diode芯片导通压降只有1.3V/1.6V，已经优于前代的650V/750V芯片，因此同一款器件可以适用于不同电压等级的方案中。