基于InnoGaN INN650D01高效超薄200W LED驱动电源方案

随着我们生活品质越来越高，各行各业对应的各种科技也在飞速发展，各种新技术，新材料在市面上得到了充分的应用。第三代半导体氮化镓出现在世人面前，已大大提升了人们的生活水平。氮化镓元器件具有高频，高转换效率，高击穿电压等特性，氮化镓前景有无限可能，国产氮化镓的发展也突飞猛进，未来氮化镓会应用在更多的场景中。人们生活中常常使用到，看到的LED灯具，这块大市场就率先使用了氮化镓器件，因人们对灯具品质的要求越来越高，要求体积小，效率高，散热好等，传统的LED驱动器大体积，低效率，温度高等，已无法满足小而薄的灯具设计。而氮化镓高频高效的特性，完美的应用到LED驱动电源上，利用高频高效的优势，减小体积并降低发热，是灯具产品一个不错的选择。

英诺赛科推出200W 超薄超小LED驱动电源方案，高功率密度达到35W/in³，方案采用PFC+LLC+SR架构，配置了英诺赛科的高频高效功率管INN650D01+INN650D02，峰值效率达96%，恒流4.2A输出，恒流电压48V，恒压49V输出，无频闪。此方案大大提升了效率，以及减小产品体积，强力加持为节能减排做出了自已的贡献。