图12是示出一个处理器的芯片布局的内部视图10kV/50A SiC MOSFET双开关模块的开关。 图13示出了SiC的导通状态特性25°C下的MOSFET模块，栅极电压为15V和20V。接通状态电压中的0.2V偏移是由于硅肖特基二极管的拐点电压。额定40A时当栅极电压为20V时，模块的导通状态电压 为4.1V。10kV时的这种性能水平是无与伦比的采用硅技术。
图12：。10kV/50A SiC双开关模块内部视图每个开关配备10A SiC MOSFET和五个10A SiC JBS二极管。
图13：。10kV/50A双电源的室温状态特性在15V和20V的栅极电压下切换模块。 八、摘要 基于SiC的新型电源开关模块技术MOSFET和JBS二极管具有更高的总功率容量，传导损耗和开关损耗低于可用的IGBT模块。SiC MOSFET模块包括电压驱动、常闭、具有驱动器的设备与硅IGBT模块类似的要求以替换为目标。这使得SiC模块成为一个替代品most中硅IGBT和MOSFET模块的更换应用。SiC电源开关模块将是为下一代电力系统启用技术。 这些模块将导致更小、更轻的系统降低了冷却要求，提高了可靠性。 确认书 支持100A/1.2kV高温模块工作空军研究推进局合同#FA8650-07-C-2780下的实验室（AFRL），由James Scofield博士监控。 高电流1.2kV模块工作由美国陆军传感器和电子设备局研究实验室（ARL），通过合作社协议W911NF-04-2-0022，由Charles Scozzie指导。 10kV模块工程由DARPA和Sharon Beermann Curtin通过合同N00014-05-C0202由Harry Dietrich博士监控。 参考文献 [1] B.Hull、M.Das、F.Husna、R.Callanan、A.Agarwal和J。Palmour，“用于能量转换的20A、1200 V 4H SiC DMOSFET系统”，在2009年IEEE能量转换大会上介绍以及加利福尼亚州圣何塞市的博览会。 [2] S.-H.Ryu、S.Krishnaswami、B.Hull、B.Heath、M.Das、J.Richmond、，A、 Agarwal和J.Palmour，“8 mΩ-cm2的开发，1.8 kV 4HSiC DMOSFET，“材料。Sci。论坛，527-529，1261-1264（2006年）。 [3] B.赫尔、M.达斯、S.-H.柳、A.阿加瓦尔、S.哈尼、C.乔纳斯、C.卡佩尔、，五十、 霍尔、J.里士满、R.卡拉南、F.胡斯纳、A.莱利斯、B.盖尔和C。Scozzie，“1200 V 4H SiC功率DMOSFET的状态”，在2007年国际半导体器件研究研讨会马里兰大学。 [4] B.Hull、M.Das、J.Richmond、J.Sumakeris、R.Leonard、J.Palmour、，和S.Leslie，“用于大电流的180安培/4.5千伏4H SiC PiN二极管功率模块，“第18届功率半导体国际研讨会”设备和IC，2006年，意大利那不勒斯 [5] W.Sheng，R.Colino，“电力电子模块设计和制造”，CRC出版社，2005年，第217-218页 |
