1.2kV/880A SiC双开关模块用于更高电流SiC MOSFET模块的垫脚石。A.模块的设计将利用80A中的22个每个开关有SiC MOSFET和11个100A SiC JBS二极管。 1.2kV/100A SiC JBS二极管为7mm x 9 mm。此1.2kVSiC MOSFET模块应具有额定电流1600A。芯片布局概念的草图如图10所示。利用这一概念，可以安装芯片需要将1600A模块插入所用的模块外壳中在880A/1.2kV模块中，只需重新设计基板。
图10：。1600A SiC模块的芯片布局概念，将使用20每个开关两个80A SiC MOSFET和十一个100A SiC JBS二极管。 七、10KV模块 DARPA开发固态变电站的努力生产了10kV/50A SiC双开关电源模块能够在20 kHz下切换。该模块包括五个8.1mm x 8.1 mm 10kV/10A SiC MOSFET管芯和五个8.3mm x 10.6 mm 10kV/10A SiC JBS二极管管芯并联每个交换机。SiC JBS二极管的通态电压为10kV设备的导通电阻增大，导致电压升高。 硅肖特基二极管与SiC串联MOSFET，以确保SiC MOSFET体二极管当SiC JBS二极管导通时打开。图11显示了硅肖特基二极管如何并入双交换机配置。两个硅肖特基二极管模具在每个开关中并联。
图11：。10kV/50A SiC MOSFET双开关模块示意图硅肖特基二极管的位置。
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