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利用大面积的兆瓦级电源开关模块路线图 碳化硅MOSFET和JBS二极管 ... ... ... ...

2022-6-9 10:12| 发布者: 闪电| 查看: 74| 评论: 0

摘要: 摘要——近年来大面积碳化硅(SiC)MOSFET及其配套的JBS二极管技术使设计和制作大功率SiC开关模块。正在进行的努力由美国空军研究实验室1.2kV/100A SiC双开关电源模块的研制能够在200°C的接合温度下运行。两个为实 ...


六、 大电流1200V模块


研制了一种大电流1.2kV SiC MOSFET模块由陆军研究实验室开发,用于牵引和功率转换应用。双重开关模块基于Powerex Mega Power双模块家庭该模块使用11个80A MOSFET和11个50A JBS二极管的并联组合开关达到880A的额定电流。图8显示模块的内部布局。组合额定电压和电流使其成为第一个SiC额定功率为1MW的模块。图9显示了1.2kV/880A SiC MOSFET的状态特性单元880A时,模块的接通状态电压为1.9V。

即使在1000A下,SiC的通态电压为2.26VMOSFET模块与硅IGBT。附加直流和开关特性正在美国陆军研究实验室进行近期出版。

图8:。大型1200V SiC双开关模块内部视图,利用每个开关80A SiC MOSFET和11 50A SiC JBS二极管。

图9:。1200V/880A大型变压器的室温状态特性门极电压为20V的双开关模块。



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