四、 100A模块DC特性 100A下A型SiC模块的直流特性当栅极电压为20V时，显示通态压降在25°C时，每个开关的电压为1.36V。接通状态电压在150°C时略微增加至1.63V。精确测量由于过度振荡。这种振荡最初是归因于芯片布局和长导线键合长度在版本A模块中使用，但后来发现大部分是由门驱动电路上使用的光耦。由于版本B在闸门驱动问题之前完成的模块已解决，版本A模块未完全具有特征的。 图4比较了B版SiC模块至连接处的硅IGBT模块温度为25°C和150°C。通态特性也显示了在结温下的SiC模块200°C。在栅极电压为20V。在25°C时，硅在100A时的导通状态电压模块为2.3V，而SiC模块或减少48%。在150°C时，100A的通态电压硅模块为2.6V，而碳化硅模块为1.5V模块或减少42%。即使在200°C时，开启状态SiC模块100A处的电压为1.9V，仍然为在25°C时低于硅IGBT模块。因为SiC MOSFET的导通电阻是线性的MOSFET没有IGBT那样的拐点电压，在较低的电压下，SiC模块的状态优势更大洋流。例如，在150°C时，40A时的通态电压硅模块为1.7V，而碳化硅模块为0.6V模块或减少65%。结果表明SiC MOSFET的整个温度和电流范围与硅IGBT相比具有显著的导通状态优势单元
图4：。1.2kV/100A SiC模块通态电压比较和同等额定值的Si IGBT模块（CM100DY-24NF）。
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