带复位绕组的单开关正向 图9显示了在变压器该绕组使一次绕组上的电压达到允许变压器铁芯在MOSFET关闭期间重置。假设一次绕组和复位绕组之间的匝数比为1:1(典型实施),最大主占空比将限制在50%以下,以确保复位,以及,MOSFET漏极将看到的最大电压将是两倍Vdc输入加上一个小漏感尖峰。忽略电压尖峰,复位二极管将漏极电压钳制为两倍Vdc大容量输入。 图9:。带变压器复位绕组的正激变换器 电压尖峰与一次绕组和复位绕组之间的漏感相关变压器必须采用双线绕组技术,以保持最小的漏感。这单开关配置通常不适用于通用输入脱机应用,其中MOSFET峰值漏极电压将接近800 V。对于任何设计裕度,都需要1 kV额定装置。像因此,这种特殊的正激变换器拓扑主要用于120-V交流输入和48-V直流输入(和更低)电信应用,其中MOSFET峰值电压下降在更可控的范围内。 请注意,即使是120伏交流输入,也需要500伏直流额定部件(135伏交流最大值x 1.4 x 2=378伏峰值+峰值。)此配置将要求以双线方式在变压器线轴。为便于绕组对称,两根导线的尺寸(直径)应相同由主rms电流确定。这必然会使复位绕组线尺寸过大该绕组承载的小电流,可能会迫使使用比预期更大的铁芯适应所需的主/复位圈数。
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