MOSFET的额定电压也可以降低，通常两个串联开关的导通状态损耗也可以降低将等于或小于单个更高电压设备。漏感能量本质上是回收回输入电容器。在门驱动和组件方面，折衷是一个更复杂的电路计数，并且，由于磁芯的伏秒乘积必须平衡以防止磁通饱和。 还必须选择匝数比，以便二次侧上的反激电压必须达到二次侧反射一次电压达到最小本体电压水平之前的直流输出电压水平及其原因整流二极管D1和D2导通。否则，反激能量将直接转移回大容量输入电容器，而不是输出电容器。 任一反激拓扑都可以在两种模式中的一种模式下运行，即不连续传导模式（DCM）和连续传导模式（CCM）。还有一种模式已经很流行，这种模式是一种特殊的DCM的情况，通常称为临界传导模式（CRM）或临界传导模式（BCM称为边界传导模式）。它是CCM和DCM边界处的一种折衷模式，具有一些有趣的优点，通常在单开关反激中实现。 检查每种模式的特征，以便进行适当的选择，这很有指导意义为应用程序制作。在DCM中，允许电感器二次电流在前一次电流之后变为零主MOSFET开关Q1再次开启之前的“开启”时间。事实上，甚至在没有电流在转换器电路的任何部分流动。在CCM模式下，主MOSFET开关转动在二次回路中的电流停止流动之前打开。这两种模式均在固定切换下运行频率CRM在DCM和CCM的边界上运行，但仍具有DCM的基本特征除非不存在任何“死区时间”周期，并且开关频率必须可变以适应控制器和变压器铁芯复位周期规定的可变MOSFET通断时间，分别地这本质上是一种自由运行模式，其中开关频率由控制IC中的初级电感和峰值电流设定点。 图4显示了DCM、CCM和CRM/BCM。请注意，在CRM/BCM中运行时，如果MOSFET被迫在第一个在核心能量耗尽后，开关基本上会看到漏极上的最低电压，因此将接通损耗降至最低。这本质上是一种准共振（QR）模式，是CRM/BCM的典型模式，它将通过降低MOSFET开关损耗来提高效率。这种技术有时被称为“山谷切换”，并且是最大限度地提高转换器整体效率的一种很好的方法。转换器具有DCM的所有优点切换，并对此模式进行了充分优化。
图4：。MOSFET相对于漏极电压导通。
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