不用说，在满足安全性要求时，这些参数中的大多数要求相互冲突机构要求；保持最小的核心尺寸；使用廉价的缠绕技术。典型的为给定的设计优化任何一个都会损害其他设计。因此，变压器的设计成为一个重要的在大多数设计中，参数的折衷和一定程度的漏感总是存在的。几个绕组配置及其相关泄漏电感如下所示（图2）。
图2：。绕组配置和相关泄漏电感。 反激拓扑中的峰均电流比高于大多数其他拓扑（一些零电压开关谐振设计可能类似）。这就要求MOSFET和输出整流器能够有效地处理涉及的高峰值电流。根据反激操作模式（稍后解释），峰值MOSFET电流通常是等效功率正激变换器和半桥的1.5到2倍拓扑。通过输出整流器的峰值电流将是直流输出电流的3到4倍，具体取决于反激工作模式（稍后解释）和占空比。 双开关反激 在变压器漏感无法通过合理的缓冲器进行充分管理的情况下设计或某种类型的谐振方法（例如有源箝位反激），图3中的双开关反激电路可能是适当的。由于采用了两个开关以及换向二极管D1和D2，因此该拓扑将任何漏感产生的电压尖峰箝位到直流输入电压水平。
图3：。基本双开关反激变换器。
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