该设计提供了11.4 W/in的外壳功率密度。3，以端到端的峰值效率运行超过91.5%。它还实现了>6 dB的传导和辐射EMI裕度。有关更多信息，请参阅 https://powerdensity.com/reference-design/. 据首席执行官马克·德鲁克（Mark Drucker）介绍，该公司还与GaN的两个合作伙伴GaN Systems和Transphorm，开发A型和C型高功率多端口快速充电器参考设计端口。 其中包括使用GaN Systems的GaN FET的RD-16 100-W 2C1A多端口USB-PD参考设计和RD-25 118-W 1C1A多端口USB-PD参考设计，使用Transphorm的GaN FET。这些参考设计分别在GaN Systems和Transphorm的APEC展位上展出。 与其65-W RD-5参考设计（两阶段设计）不同，RD-16和RD-25是三阶段的由于75 W以上PFC的要求而进行的设计。（有关RD-16的更多信息，请参见图13和14。）它们包括Silanna Semiconductor的有源箝位反激式ac-dc控制器（SZ1131）和高频buck变换器（SZPL3102和SZDL3105），并在PFC和ACF阶段使用GaN器件，以提供一流的性能根据供应商，效率和功率密度。
图13：。Silanna的RD-16 100-W 2C1A多端口USB-PD参考的简化示意图使用该公司的ACF控制器和buck转换器结合GaN进行设计Systems的GaN FET。（参见https://powerdensity.com/wp-content/uploads/2022/03/RD-16-v2.pdf)。
图14：。Silanna的RD-16 100-W 2C1A多端口USB-PD参考设计演示板此处显示了一些关键规格。
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