Innoscience的另一个演示是基于CRM totem pole PFC和LLC半桥转换器的240-W 350 KHz ac-dc适配器。该设计采用通用输入，可产生48伏5安输出。此参考该设计与140-W版本在两个方面有所不同。首先，PFC级使用所有GaN电源开关即使在线路频率段。其次，dc-dc级是LLC半桥（图6）。
图6：。Innoscience的全GaN 240-W 350 kHz交直流适配器简化示意图。 据该公司称，这种设计在标称高压线输入下实现了96.7%的效率，据说比同等硅基溶液高2%。带有尺寸为85 mm x58毫米x 20.5毫米，这种全GaN 240-W适配器设计实现了38.5瓦/英寸的功率密度。3对11瓦/英寸。3.对于等效硅设计，根据该公司（图7）。
图7：。Innoscience全GaN 240-W 350 kHz交直流适配器的测量效率（左）和演示突出显示功率密度的电路板（右）。 在其展位上，高效电源转换（EPC）宣布并演示了另一款全GaN 240-W USB-PD 3.1快速充电器参考设计。该设计将EPC的低压GaN FET与高压GaN相结合 纳维教育的功率级。 评估板将通用交流输入转换为15 V至48 V的可调直流输出电压通过使用GaN功率开关，可实现约1.3 W/cm3（无壳）（或21.6 W/in.3）的功率密度在一次和二次电路中以高开关频率工作（图8）。 |
