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友尚新推出基于onsemi 新一代QR Flyback控制器: NCP1343 的 100W PD电源方案 ... ...

2022-5-13 14:53| 发布者: 闪电| 查看: 3| 评论: 0

摘要: 近两年PD在手机,笔记本等消费类产品中得到广泛的应用,而PD电源方案也是百家争鸣,安森美半导体一直在智能快充行业里拥有领导的地位,其产品覆盖面广,有众多的解决方案可供选择,onsemi NCP134X系列芯片都可以完美 ...
近两年PD在手机,笔记本等消费类产品中得到广泛的应用,而PD电源方案也是百家争鸣,安森美半导体一直在智能快充行业里拥有领导的地位,其产品覆盖面广,有众多的解决方案可供选择,onsemi NCP134X系列芯片都可以完美设计出应用于快充的电源产品,今天给大家分享使用NCP1343设计的100W PD电源,因为在75W以上,就要加上PFC电路来达到高功率因数的要求以符合行业标准,此100W PD电源前级使用onsemi NCP1623作为PFC 级的控制提高了设计需求,输出控制级使用onsemi FUSE15101的设计满足了PD3.0/PPS protocol.

NCP1343是集成准谐振控制的flyback芯片,内部集成700V 高压启动源并HV具有brown out功能,宽VCC供电电压範圍9V至28V,适合设计高性能离线电源转换器,它有专用的谷底锁定电路控制系统以确保稳定的谷底开关提高产品性能及稳定性。NCP1343增加了PEM控制方式,PEM (Power Excursion Mode)是一种当电源系统在瞬态需要更多功率的时候,系统会进入PEM,在一小段时间将输出功率提高而不触发OCP保护的机制,NCP1343有三种方式可以实现,一,提高CS门限电压使其提高保护点,二,PEM下NCP1343会做升频处理,提高频率满足系统更多的功率需求;三,综合第一种方式和第二种方式的混合模式。NCP1343可以实现设计到最高500KHz的开关频率,是设计高功率密度开关电源的最佳选择。

功率器件使用Si MOSEFT,PFC 升压电路使用NCP1623推动onsemi 8X8 贴片封装超級結MOSFET FCMT199N60,flyback部分NCP1343 驱动8X8贴片封装超級結MOSFET FCMT250N65S3,使用Si mosfet很大程度降低整体方案成本,副边整流使用NCP4307 推动 onsemi 100V 5X6封装SGT MOSFET FDMS86180实现同步整流,PD输出开关使用onsemi 30V 3X3封装高性能mosfet NTTFS4C02NTAG节省PCB尺寸。

► 场景应用图

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► 产品实体图

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► 展示版照片

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► 方案方块图

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► 100W PD PFC 电路图

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► 100W PD Flyback 线路图

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► PD控制线路图

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► 效率数据曲线

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► 100W 温度测试数据

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► 核心技术优势

 700V高压启动源HV脚位集成Brownout侦测功能 宽VCC供电电压9V至28V 频率反折技术综合quiet-skip提升轻载效率 谷底锁定技术有效改善系统噪声 空载条件下损耗低至 50mW 抖频技术有效改善EMI

► 方案规格

 输入电压:90 Vac to 264 Vac 最大输出功率:100W 输出电压电流:5 V / 3 A, 9 V / 3 A, 12 V / 3 A, 15 V / 3 A, 20 V / 5 A 输出电压纹波:60mV Max 功率密度:1.46W/cm3 效率:92.3% & 92.9% @20V/3.25A,115Vac &230Vac

► 技术文档



DatasheetChip data.rar

路过

雷人

握手

鲜花

鸡蛋

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