该组件如下图1所示。
图1。分立场效应晶体管的热组装。用于温度测量的位置如下： NTH4L020N120SC1分立SiC FET的结至外壳热阻抗为0.3°C/W MOSFET和散热器之间使用3°C/W的热阻抗，图1可用热阻抗值如图3（和表2）所示，以及 MOSFET和散热器的温度为3.3°C/W。与分立MOSFET相比，功率模块的热组件有显著差异模块使用DBC（直接键合铜）连接MOSFET管芯，连接到外壳的热阻抗已经包括隔离层。 我们还在表1中选择了一个带有预应用相变热材料的模块。相变这种材料非常适合填充DBC和散热器之间的空隙。因为它最大化了这两部分降低了总成的热阻抗。下面的图2显示了该组件。 图2。带外壳和散热器温度测量的模块封装热组件 已确定的要点。 20米, 1200-V SiC MOSFET模块（NXH020F120MNF1PTG）数据表[9]提供了热阻抗对于连接至外壳和连接至散热器，将其值指定为0.45°C/W和0.80°C/W，分别地表2总结了这些值。 表2。离散和模块封装的热阻抗比较。
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