该设计由NCP1362准处理器组成−谐振峰值电流一次侧调节器（PSR）反激控制器；1200伏160兆瓦的NTHL160N120SC1 SiC MOSFET（三引线，成本优化），以及FFSPF1065A碳化硅二极管。SiC FET具有34 nC的超低栅极电容，这有助于显著降低高压瞬态和开关损耗。这有助于提高反激的整体效率舞台及电源设计。 NCP1362控制器设计用于在12 V电压下直接驱动SiC FET，无需预驱动器，简化整体电源设计。虽然NCP1362的输出是单极的，从0伏到12伏，但这是足以驱动SiC FET，而无需将其驱动至最大VG以打开/关闭。需要一个5千瓦160伏的电视二极管用于为SiC MOSFET提供硬钳位保护。消除预驱动程序提供了许多优点，比如 降低组件成本 通过消除前置驱动器和前置驱动器的被动组件，减少了总体BOM 由于较少的组件和减少的寄生性，稳定性高 提高效率 简化布局。 直流充电模块设计遵循IEC61851-1指南，反激变压器符合IEC标准61558-1，其中1000-V工作电压的基本隔离需要为2.75 kVrms。反激变压器提供4 kV的隔离，并经过优化，以将RCD缓冲电路的损耗降至最低。刚果民盟该电路有助于限制高压下的电压超调、瞬态和振荡，并提供SiC FET的100 V净空。 图3。图4显示了从10%到100%的输出负载瞬态响应。显示从100%到100%的负载瞬态在500伏直流输入电压下为10%。电压转换时无振荡表明了高稳定性。
图3。在500 V电压下，从10%到100%输出负载功率的负载瞬态。 |
