SiC栅极驱动器的未来改进 上面讨论的NCD570xx IGBT栅极驱动器系列适用于SiC MOSFET栅极驱动器高功率应用的要求。然而，先进版本的电流隔离这样可以获得更快的传输时间和更少的延迟失配。 结合这一改进，较新的NCP5156x[11]门驱动器系列也可用于驱动SiCMOSFET。栅极电压范围已经调整，以符合所有SiC MOSFET的栅极开/关电压几代人。UVLO也适用于栅极电压范围值。 NCP5156x系列的主要特点包括36纳秒的典型传播延迟。最大延迟为8纳秒每通道匹配；输出电源电压从6.5伏到30伏，具有5伏、8伏和17伏UVLO阈值， CMTI>200v/ns；从输入到每个输出和1200-V峰值的5 kVrms（UL 1577额定值）电流隔离输出通道之间的差分电压；用户可编程死区时间和4.5-A/9-A源和汇峰值电流（图12）。
图12。NCP51561方框图。 当输出级只有一个电源（或单极）导轨可用时，以下示意图显示 齐纳二极管可用于获得正负电源（或双极）电压（见图13）。
图13。在单个隔离偏置电源上使用齐纳二极管进行负偏置。 |
