修改门源电阻的值（用于导通）是降低dV/dt的最简单方法。更高的栅极电阻值将导致更慢的转换，并使应用程序更安全一个小的额外功率损耗的折衷方案（因为转换将更长）。 根据模拟结果，决定增加原来的1.8Ω栅源电阻值至2.5至4.7Ω范围内的值。有了这个值，我们将开启转换速度保持在25 V/ns左右，这是一个很好的妥协。这将是用于评估实际硬件的起始值。 关于关断转换，也采用了类似的方法。无花果。8和9显示了这些结果模拟。关断转换也很快（高达40 V/ns），带有1.8Ω的栅极吸收电阻器（与用于开机模拟）。原型中的接收器电阻值将增加到3.3Ω，以调整关闭转换至25 V/ns左右。
图8。低压侧A相SiC MOSFET的关断速度与输入电压和电感的关系和输出电容值。
图9。PFC级MOSFET的典型关断波形。 |
