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25kw碳化硅基快速直流充电器的研制(第6部分):半导体器件的栅极驱动系统 ... ..电源 ...

2022-5-12 09:38| 发布者: 闪电| 查看: 33| 评论: 0

摘要: 在本系列的第1部分到第5部分中,我们详细介绍了从硬件透视图和控制策略。图1表示到目前为止讨论的系统。在第6部分中,我们将注意力转向驱动SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。这些晶体管随着它们变得更高效、更可靠,它 ...


图4。PFC A相带栅极驱动器的功率级模型。

驱动阶段将显著影响系统的性能(对于基于SiC的系统更是如此)。

因此,强烈建议至少在一定程度上将其包括在模拟中。一个挑战是,现有的门驱动器模型通常非常复杂,它们会减慢仿真和测试速度增加模拟运行时间,因为它们包括驱动程序的所有功能(如UVLO、clamp、DESAT等)。在里面一般来说,对于功率级模拟,更具体地说,对于本项目的目标,一个简化的门驱动器模型已经足够了。其中一个只包括传播延迟和输出级特性,或者表演。

尽管详细的I-V特性通常无法在各种驾驶员数据表中获得,但使用指定的驱动程序输出能力(接收器IPK−SNK1和源IPK−SRC1峰值电流,见NCD57001数据表[10] )对于某些给定的点,结合传播延迟信息,得出输出特性。这种近似提高了模拟精度,同时仍能提供可接受的结果模拟时间。图5显示了基于数据表创建的NCD57001门驱动器SPICE模型价值观。

图5。基于数据表值的简化NCD57001 SPICE模型。


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