在本系列[1-5]的第1部分到第5部分中，我们详细介绍了从硬件透视图和控制策略。图1表示到目前为止讨论的系统。 在第6部分中，我们将注意力转向驱动SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。这些晶体管随着它们变得更高效、更可靠，它们在电力半导体市场迅速扩散。像 随着市场上越来越多的设备面世，设计师必须了解这两个方面SiC MOSFET与硅（Si）IGBT和硅超结（SJ）之间的共性和差异MOSFET，以便用户能够充分利用每台设备。 这篇文章是基于经验教训，而建立一个25千瓦的快速电动汽车充电器使用新的碳化硅模块从中国昂塞米。这些模块使用onsemi的M1 1200-V SiCMOSFET。我们将了解如何设计和调整耦合栅极驱动器和SiC MOSFET在大功率应用中的组合。 在本设计中，我们将使用onsemi的IGBT电流隔离门驱动器作为起点，并介绍改进了新的专用碳化硅电流隔离栅驱动器。所有闸门驱动程序系列均在本手册中介绍文章分享了相同的隔离技术和输出级技术。
图1。25kW电动汽车直流充电器的高级框图。 栅极驱动要求：SiC MOSFET Vs.Si IGBT Vs.SJ MOSFET 对于IGBT和MOSFET（硅和碳化硅），我们必须对栅极进行充电以打开器件，并对栅极进行放电 |
