GaN功率器件大幅缩小尺寸，提高4千瓦太阳能逆变器的效率

改善桥梁性能与IGBT相比，GaN HEMT实现的更高开关速度如图3所示。甘上升时间缩短了三到五倍，从而减少了换向损失。此外，产量由于GaN的下降时间快了五倍，充电损耗显著降低。（更多关于这些信号测量见附录。）利用Transphorm的EZ-GaN HEMT设备，效率高达99%已在400-V直流至270-V交流桥式逆变器中实现（图4）

图3。IGBT和GaN电桥的输出波形比较。

图4。在硬开关桥逆变器中使用EZ-GaN器件证明了效率从400伏直流输入产生270伏交流输出。