这类设备的标称输入电压范围为300至400 V dc，最大（峰值）电压为高达500伏直流电。由于以下原因，需要使用升压变换器来降低PV串的输出电压： 入射光的变化。当由于云层、肮脏的面板或阳光导致面板电压下降时在日出和日落时，升压电路将母线电压升高至标称输入至输出足以产生单相230-V交流波形的电桥，该波形与所连接的线路兼容逆变器被绑住了。用600伏GaN HEMT替换升压电路中的硅器件对性能影响最大太阳能电池板输出较低时的效率，使每天的发电时间更长。 硬开关电桥应用中的器件性能比较大多数光伏逆变器在桥电路中使用硅IGBT。下表提供了以下各项的比较： 硅MOSFET、IGBT和GaN HEMT，评估其对硬开关电桥应用的适用性。这个MOSFET典型的高反向Qrr使这些器件不适用于该应用；那么真正的比较呢 归结起来就是IGBT和GaN HEMT。 虽然硅IGBT的导通电阻最低，但其较慢的开关速度有助于获得更高的导通电阻开关损耗比等效GaN器件大。此外，IGBT的运行速度限制了开关电桥的频率为16至20 kHz。因为电桥频率决定了无源器件的大小（输出滤波器中的电感器和电容器）这将在很大程度上决定逆变器的尺寸和重量。 桌子硬开关电桥应用的测量装置适用性：电桥配置和操作财产。
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