与以16 kHz频率切换的现有硅逆变器设计相比，这种新装置几乎小了45%（0.35立方英尺vs.0.64立方英尺），因为它能够在50 kHz的频率下切换，同时实现更高的效率。 在对串逆变器中使用的拓扑结构进行了基本描述之后，本文比较了硅MOSFET和IGBT与GaN HEMT的特性，评估这些器件的优点硬交换网桥应用。然后，研究了GaN HEMT在硅上实现的开关速度的提高硬开关桥中的IGBT以及使用甘海姆斯。最后，介绍了Transphorm的GaN晶体管在设计中的一些经验教训 逆变器的应用是共享的，基于GaN的串级逆变器的最新商业实现也是共享的描述。 典型光伏逆变器拓扑图2描述了典型的串级光伏（PV）单相逆变器，包括升压变换器（dc）和桥式逆变器（dc-ac）电路，然后是一个滤波器，以匹配交流电源的阻抗。
图2。无变压器直流-交流转换电路（德克萨斯仪器公司提供）
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