GaN功率器件大幅缩小尺寸，提高4千瓦太阳能逆变器的效率卡尔·布莱克，加利福尼亚州戈莱塔市Transphorm。 利用氮化镓（GaN）高电子迁移率实现高效率功率转换的前景晶体管（HEMT）和快速开关二极管已经在批量生产中实现。这个在电压高于200 V至300 V的情况下实现这一重要里程碑所涉及的技术挑战如下： 一些行业专家认为这是无法克服的。 图1显示了Yole DéDevelopment在2013年APEC会议上提出的应用路线图。在这种情况下，甘中高端解决方案在相对较低的运行成本下，设备的性能和成本都受到限制电压。类似地，碳化硅（SiC）也被用于更高电压的应用。产品介绍2013年亚太经合组织揭穿了这一预测。如今，一款采用600伏GaN技术的商用4千瓦光伏逆变器已经问世已经实施，为规模和性能建立了新的基准。
本文将描述一个4千瓦、并网、单相太阳能电池板串逆变器的拓扑结构，该逆变器将取代传统的硅（Si）IGBT，在升压变换器部分和桥式电路中带有GaN HEMT使损失减少50%，使整体效率达到98%以上的峰值效率。
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