图5。带DESAT保护和拆分的隔离门驱动器的简化应用示意图输出 此外，芯片上的DESAT功能非常方便，可以确保所需的快速过电流保护对于SiC晶体管，其特点是与IGBT相比短路耐受时间更短。低处驱动系统将复制高压侧，将其作为高功率应用中一种行之有效的良好实践，具有快速的性能交换系统。 电路的隔离和对称性（高侧和低侧）有助于通过防止不同来源（EMI、噪声、瞬变等）引起的问题。将+20-V和-5-V隔离偏置电源将由SECO-LVDC3064-SiC-GEVB提供，其中展示了行业标准的引脚。 关键物料清单 表1总结了将用于设计的关键半导体组件和功能块。 表1。25千瓦电动汽车直流充电器中的关键半导体组件。
把所有的东西都放在一起图6显示了上述所有系统部件如何在实际设计中结合在一起，以提供完整的系统解决方案图7提供了对实际硬件的良好理解。 PFC级位于dc级的顶部，结构紧凑、完整。整体这些模块的最大尺寸加起来为380 x 345 x（200到270）mm（长x宽x高），高度为根据装配的感应部件的功能而变化。最终，这些25千瓦的机组中有几台可以叠加在一起，以实现更高的功率水平在一个超高速电动汽车直流充电器。 会发生什么在本系列接下来的部分中，我们将讨论三相PFC阶段和DAB的发展——进一步详细介绍移相转换器，包括仿真和其他系统注意事项。测试结果将将在本系列的最后介绍。 有关本系列第2部分或其他部分的任何问题，请通过此电子邮件写信给作者。 |
