通过这一观察和进一步研究，我们可以了解励磁电感如何影响变压器尺寸。ISEC,RMS的平方增加了1.435倍(LM = 150 µH(58.7 Arms)相对于LM= 720 µH(49 Arms))，这可以解释为需要以相同的因子增加导线的横截面积(如果绕组损耗保持不变)。然而，n2(LM= 150 µH)减小为1/2.19，使用相同的绕组横截面积将使铜损耗降低为1/1.52。最重要的是，n1(初级匝数)也会减小，从而进一步降低了铜损耗。 尽管如此，这种改进可能是以加大磁芯为代价。随着 LM的降低，IM,PEAK增加了4.8倍，从4.1 A(LM = 720 µH)增加到19.9 A (LM = 150 µH)，如图13所示，而n1(和 n2)仅减小为1/2.19(如上所述)。应用公式 3，乘积N · IM增加，磁通密度(B)随之增加，这会触发对更大磁芯(增加Ae横截面积)的需求，以便保持合理水平的磁通密度(B)。 该示例说明了这几个元件的相关性，以及为什么通常要进行折衷。然而，找到变压器尺寸和LM之间的最佳点通常取决于磁性元件设计人员的技术和能力(如前所述)。  图11：DAB IPRIM,PEAK和IPRIM,RMS变化与次级侧电压和励磁电感的函数关系(VDC-LINK = 800 V，n1/n2 = 1.2:1)。  图12：DAB ISEC,PEAK和ISEC,RMS变化与次级侧电压和励磁电感的函数关系(VDC-LINK = 800 V，n1/n2 = 1.2:1)。  图13：DAB IM,PEAK变化RMS与次级侧电压和励磁电感的函数关系(VDC-LINK = 800 V，n1/n2 = 1.2:1)。
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