25 kW SiC直流快充设计指南(第四部分)：DC-DC级的设计考虑因素和仿真 ... ... ... ...

初级和次级电流

低n1/n2比值也带来了缺点，通常需要找到一个最佳点。最突出的缺点是在低V_SEC时I_PRIM,PEAK和I_PRIM,RMS较高(图5)，这意味着SiC MOSFET的导通电流较高。

同时，增加n1/n2会导致在高V_SEC下更高的I_SEC,PEAK和I_SEC,RMS(图6)。为避免磁饱和，需要在变压器设计中格外小心初级侧出现相对较高的峰值电流。

图5：I_PRIM,RMS和I_PRIM,PEAK与变压器匝数比的函数关系(V_DC-LINK = 800 V，L_M = 720 µH)。

图6：I_SEC,RMS和I_SEC,PEAK与次级侧电压和变压器匝数比的函数关系(V_DC-LINK = 800 V，L_M = 720 µH)。