T-中性点箝位（T-NPC）是一种3级拓扑结构，使用1200 V整流器（以双向形式用开关代替），中性点路径上有650 V开关背对背。I-NPC是一个3级架构，可能完全用650 V开关实现。650 V SiC MOSFET或IGBT与共包二极管代表了这些3级拓扑结构的优秀替代方案。
图12. F1-2 PACK SiC MOSFET模块半桥。1200 V,10 mQ 在研究DC-DC转换级时，主要采用了三种隔离拓扑结构：全桥LLC谐振转换器、全桥移相双有源桥（DAB）零电压过渡（ZVT）转换器和全桥移相ZVT转换器（图13、14和15）。 全桥LLC谐振 LLC转换器在初级端实现了零电压开关（ZVS），同时在谐振频率及以下——在次级端实现了零电流开关（ZCS），从而在谐振频率附近产生了非常高的峰值效率。作为一个纯粹的频率调制（FM）系统，当系统工作点偏离谐振频率时，这可能是需要宽输出电压操作时的情况，LLC的能效就会下降。 然而，先进的混合调制方案使今天的脉冲调制（PWM）与调频相结合，限制了最大频率失控和高损耗。不过，这些混合实现方式还是给已经有时很麻烦的LLC控制算法增加了复杂性。 此外，并联的LLCs转换器的电流共享和同步也不是件容易的事。一般来说，当有可能在相对较小的电压范围内工作时，和/或当具备实施结合调频和PWM的先进控制策略的开发技能时，LLC是一种难以超越的设计。它不仅可以提供最高的能效，而且从各个角度看都是一个非常全面的解决方案。LLC可以作为CLLC以双向形式实现，这是另一种复杂的拓扑结构。
图13. 全桥LLC转换器 带有次级同步整流拓扑结构的移相全桥DAB也非常典型。这些都是用PWM工作，一般来说，需要比LLC转换器更简单的控制。DAB可以被认为是传统的全桥移相ZVT转换器的演变，但漏电感器在初级端，这简化了繁琐的次级端整流，减少了二次开关或二极管的必要额定击穿电压。由于实现了ZVT，这些转换器可以在很宽的输出电压范围内提供稳定的高能效。这对于支持800 V和400 V电池电压水平的充电器来说是个方便的因素。
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