控制模式和策略 数字控制将运行系统，依靠强大的通用控制板(UCB)，[3]它采用Zynq-7000 SoC FPGA和基于ARM的芯片。这样一个多功能的控制单元有助于测试和轻松运行数字领域的多种控制方法——如单相移位、扩相移位和双相移位，以及DAB变压器上的磁通平衡——并处理所有板载和外部通信。将使用两个UCB单元，一个用于PFC级，另一个用于DC-DC。 驱动器 门极驱动器对整个系统的性能和能效也至关重要。为了充分利用SiC技术，必须高效地驱动SiC MOSFET并确保快速转换。与硅基器件不同，SiC MOSFET通常工作在线性区域(而不是饱和状态)。在选择适当的VGS时需要考虑的一个重要方面是，与硅基器件不同，当VGS增加时，即使在相对较高的电压下，SiC MOSFET也仍会表现出RDS(ON)的显著改善。[4] 为了确保最低的RDS(ON)，并大大减少导通损耗，建议导通时使用+20 V的VGS。对于关断，建议使用-5 V，这样可以减少“关断”过渡期间的损耗，并提高鲁棒性，防止意外导通。 此外，高驱动电流是必要的，以实现适合SiC MOSFET的高dV/dt，这也有助于最小化开关损耗。考虑到这一点，PFC和dc-dc级选用NCD57000 5-kV电隔离大电流驱动器。 该单通道芯片确保了快速开关转换，源/汲电流+4-A和-6-A，并耐用，显示出高共模瞬态抗扰度(CMTI)。由于采用了分立式输出，导通和关断的门极电阻是独立的(图5)，允许单独优化导通和关断的dV/dt值并减少损耗。
图5. 带有DESAT保护和分立输出的隔离 门极驱动器的简化应用原理图。 此外，片上的DESAT功能对于确保SiC晶体管所需的快速过流保护非常有利，其特点是短路耐受时间比IGBT更短。下桥驱动系统将复制上桥驱动系统，这是用于快速开关系统的高功率应用中经验证的好的做法。 隔离和电路的对称性(上桥和下桥)有助于防止来自不同来源的问题(EMI、噪声、瞬态等)，从而实现一个更强固的系统。+20-V和-5-V隔离偏置电源将由SECO-LVDCDC3064-SiC-GEVB提供，具有工业标准的引脚布局。
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