工作电压和功率模块 AC-DC和DC-DC级之间的直流链路将在高压(800 V)下运行，以减少电流值，从而最大化能效和功率密度。输出电压将在200 V至1000 V之间摆动(如前所述)。由于转换器是基于两级拓扑结构，因此需要1200-V的击穿电压开关才能在这样的电压水平上运行。 NXH010P120MNF1半桥SiC模块(图4)含1200 V、10 mΩ SiC MOSFET，是PFC级和DC-DC转换器的骨干。该模块具有超低RDS(ON)，大大降低了导通损耗，且最小化的寄生电感降低开关损耗(与分立替代器件相比)。
图4. NXH010P120MNF1 SiC模块采用2-PACK 半桥拓扑结构和1200-V、10-mΩ SiC MOSFET， 用于实现AC-DC和DC-DC转换器。 功率模块封装的卓越导热性提高了功率密度(相对于分立SiC器件)，减少了冷却需求，并实现了小占位和强固的方案。SiC模块成为一个重要元素，可在紧凑型和轻型系统的AC-DC和DC-DC级中分别实现>98%的能效。 此外，模块赋能磁性元件缩减尺寸，适用于更高开关频率，而减少的冷却基础架构要求有利于降低整个系统的每瓦成本。在25千瓦的电动车直流充电桩功率级中，在SiC模块上使用基于风扇的主动冷却，应足以有效地减少系统中的损耗。电容器和磁性元件的选择旨在最大限度地减少其冷却要求，同时满足技术规范。
|
