相应的碳化硅器件温升曲线如图所示，从500W到满载2500W输出，温度只上升到了16℃，表现也很好。

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IVCC1102搭配氮化镓(GaN)的图腾柱PFC方案

近期珠海镓未来科技公布了一款700W智能混合信号无桥图腾柱 PFC+LLC量产电源解决方案，其PFC控制器也是采用瞻芯电子IVCC1102，搭配镓未来两款低动态内阻Cascode氮化镓器件(G1N65R150TA和G1N65R050TB)，实现PFC级99.1%的极致转换效率，系统总体满载效率高达96.72%， 符合80PLUS钛金能效。据悉，镓未来G1N65R150TA和G1N65R050TB已经正式量产。

珠海镓未来科技采用GaN器件无桥图腾柱PFC方案，设计上去除了输入整流桥固有的Vf损耗，解决了传统FPC线路效率无法提升的问题。同时通过Cascode GaN的应用，解决图腾柱PFC MOSFET反向恢复电荷Qrr过高的只能采用CRM工作模式的问题。用具有极低等效Qrr的Cascode GaN器件，使得PFC可以工作在连续电流模式提高效率的同时也不牺牲功率密度，实现高达99.1%的转换效率。

镓未来700W GaN电源关键参数

镓未来这套700W GaN电源方案功率密度可达14.7W/in³，适合工作在0-40℃温度环境下，支持90-264V~50/60Hz全球宽范围电压输入，可在40V-56V调压输出，最大恒流13A，最大输出功率700W。满载效率≥96.72%，输出电压纹波＜300mV。

镓未来700W GaN电源整机能效对比市面上普通在售Si MOS产品，半载测试下提高了接近2%的转换效率，在满载情况下提高了接近1.3%的转换效率。节能提升了38.72%，预计可以为每台单电源设备年节省80-120度电。

温升测试:

上图为镓未来700W GaN电源方案在无散热片情况下，25℃环境温度下 110V/60Hz裸机连续运行1 小时的热成像图。可以看出，得益于GaNext优异的GaN器件性能以及成熟的可靠性设计方案。700W GaN LED驱动电源裸板正面的最大实测温度仅为88.8℃。

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总结

瞻芯电子是中国领先的碳化硅（SiC）功率半导体和芯片解决方案提供商，2017年成立于上海临港，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司，致力于围绕碳化硅功率半导体应用，为中国新能源产业提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

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