魅蓝65W 1A1C氮化镓参考设计

垂直焊接的小板特写，上面焊接初级控制器和氮化镓开关管。

背面大面积露铜散热。

充电器主控芯片为ON安森美NCP1342，这是一颗高频初级PWM控制器，内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能，具有超低的待机功耗。

高压开关MOS管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。