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初学入门

从零开始学运算放大器笔记一 | 认识运算放大器
从零开始学运算放大器笔记一 | 认识运算放大器
目录1.运算放大器简介2. 运算放大器的分析前提3. 运算放大器的重要参数和测量方法(一)1. 运算放大器简介运算放大器(又称”运放“,英文全拼为Operation Amplifier,缩写为OP AMP)是一种模拟电路模块,它采用差分电 ...
2025-3-28 15:46
栅极驱动器选得好,SiC MOSFET高效又安全
栅极驱动器选得好,SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位,这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而,市场对更小型化产品的需求,以及设计人员面临的提高电源能效的压力,使得碳化硅( ...
2025-3-26 09:52
IGBT并联设计指南,拿下!
IGBT并联设计指南,拿下!
栅极电阻关于栅极驱动和返回路径的阻抗匹配问题,已有很多论述。众所周知,阻抗匹配越好,IGBT 的功率和电流均衡就越好。关于这个问题的大多数讨论,都建议必须使用单独的栅极驱动电阻。为每个 IGBT 提供一个栅极电 ...
2025-3-26 09:46
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)相比其他竞争技术具有一些显著的优势,特别是在给定芯片面积下的低导通电阻(称为RDS.A)。为了实现最低的RDS.A,需要权衡的一点是其常开特性,这意味着如果没有栅源 ...
2025-3-26 09:29
從矽到碳化矽過渡,碳化矽Cascode JFET 為何能成為破局者?
從矽到碳化矽過渡,碳化矽Cascode JFET 為何能成為破局者?
電力電子器件高度依賴於矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)等半導體材料。雖然矽一直是傳統的選擇,但碳化矽器件憑藉其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較於矽,碳化矽具備多項技 ...
2025-3-26 08:36
一文详解开关电源的同步整流技术
一文详解开关电源的同步整流技术
●同步整流的分类。●同步整流的驱动方式●同步整流的MOSFET同步整流简介●高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小,功耗的不断降低,要求供电电压也越来越低,而输出电流则越来越大。●电源本身的高输出电流、低成本 ...
2025-3-26 08:33
SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法
SiC MOSFET的短路特性和短路保护方法
摘要在光伏逆变器、车载充电器及牵引逆变器等应用领域中,由第三代半导体材料碳化硅(SiC)制成的SiCMOSFET正逐步替代由传统硅基(Si)制成的SiIGBT。这是因为碳化硅(SiC)材料相比传统硅(Si)材料具有更优越的物 ...
2025-3-25 08:55
推挽电路驱动与图腾柱驱动的区别
推挽电路驱动与图腾柱驱动的区别
1 推挽电路有时候考虑到驱动芯片的成本问题的时候,我们会考虑用三极管搭驱动电路,毕竟一个mos driver多数都要几块钱,两个三极管才一两毛钱,所以我们要清楚推挽的驱动电路用法。1.1 正确推挽驱动电路结构如下图所 ...
2025-3-25 08:47
Bi-CMOS工艺解析
Bi-CMOS工艺解析
本文主要讲解了Bi-CMOS工艺。Bi-CMOS工艺将双极型器件(Bipolar)与CMOS工艺结合,旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、高集成度的优势,而双极型器件拥有大驱动电流、高速等特性。Bi-CMOS则能通过优化 ...
2025-3-25 08:46
干货 | 这可能是最详细的「阻抗匹配」介绍
干货 | 这可能是最详细的「阻抗匹配」介绍
在具有电阻、电感和电容的电路里,对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。常用Z来表示,它的值由交流电的频率、电阻R、电感L、电容C相互作用来决定。由此可见,一个具体的电路,其阻抗是随时变化的,它会随着电流频率的改 ...
2025-3-25 08:43
汽车BMS的ESD防护方案
汽车BMS的ESD防护方案
BMS是Battery Management System的缩写,称为电池管理系统,目前为新能源汽车核心部件,是一种用于监控和管理电池组状态的复杂系统,目的是智能化地管理和维护各个电池单元,从而防止电池出现过充电和过放电,延长电 ...
2025-3-25 08:42
DAC 与 ADC:数字与模拟的往复之旅
DAC 与 ADC:数字与模拟的往复之旅
然而,在这个日益由软件定义的世界中,0和1并非万能。图像传感器将光强记录为一系列模拟值;播放音乐的扬声器,其振膜需要移动到除了“完全向内”和“完全向外”之外的多种位置。最终,几乎所有复杂的数字电路都需要 ...
2025-3-25 08:40
闩锁效应的工作原理
闩锁效应的工作原理
LU是 Latch Up的简写,即闩锁效应,也叫可控硅效应,表征芯片被触发低阻抗通路后、电源VDD到GND之间能承受的最大电流。非车规芯片的规格书中通常都不会提供这个参数,而车规芯片的规格书中通常都会明确标注出来这个 ...
2025-3-25 08:39
场效应晶体管入门指南
场效应晶体管入门指南
在现代电子学的宏伟建筑中,场效应晶体管(FET-Field Effect Transistor)是其不可或缺的基石。这些精巧的电子组件以其卓越的性能优势:低功耗、高输入阻抗和简便的偏置需求, 在电子技术的发展史上占据了举足轻重的地 ...
2025-3-20 09:59
晶振圈专业名词解释,你都知道吗(上)
1、标称频率标称频率指的是在正常匹配的振荡电路下,晶振中的石英晶片振动的频次,表示为MHz或KHz。例如:石英晶片在1秒内振动了一百万次,那么该频率为1MHz。2、调整频差指晶振在常温(25℃)下,实际输出频率与标 ...
2025-3-20 09:54
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