齐纳击穿 所谓“齐纳”击穿，是指当PN结两边掺入高浓度的杂质时,其阻挡层宽度很小,即使外加反向电压不太高(一般为几伏),在PN结内就可形成很强的电场(可达2×106 V/cm),将共价键的价电子直接拉出来,产生电子-空穴对,使反向电流急剧增加,出现击穿现象。· 二、二级管 2.1 定义与特性 定义: 二极管就是半导体材料被封装之后，在PN结两端加上两个正负极引线制作而成。 符号与实物:
特性: 单向导电性，伏安特性 电路中二极管导通之后，所分电压值为0.7V。 发光二极管导通之后为分压值1 ~ 2v，电流范围为5 ~ 20mA multisim仿真：
2.2 二极管的分类 ①稳压二极管 能够稳定一定电压的二极管，其工作在反向击穿状态，反向电压应大于稳压电压 multisim仿真：
用于把交流电变成脉动直流电 multisim仿真：
③开关二极管 功能: 它是电路上为进行“开”、“关”作用而特殊设计的二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短 应用: 在电路中主要防止反向电流烧坏一些精密器件起保护作用。 例如：
当电路遭遇反向电流时，电流可以通过右边的开关二级管形成回路，从而保护左边的电路。 三、三级管 定义: 由半导体组成具有三个电极的晶体管
特性： 输入电流控制输出电流 工作状态： 放大状态 – 发射结正偏，集电结反偏（UB>UE,UC>UB) 饱和状态 – 发射结和集电结均为正偏。 截止状态 – 发射结反偏或两端电压为零。 主要公式：
Ie = Ic + Ib = (1+β)Ib Ic = βIb 截至状态：集电极和发射极之间相当于开路 放大状态：上面的公式 饱和状态：Ib与Ic都很大，没有倍数关系，UCE很小，相当于导线，工程上我们认为硅饱和导通的UCE的压降为0.3V，锗管为0.1V multisim仿真：
四、MOS管 MOS管相当于另一种三极管，只有一种载流子(多子)参与导电，被称为单极型三极管，又因为这种管子是利用电场效应来控制电流的半导体器件（被看成是电压控制器件)，因此也称为场效应管（简称FET)。 场效应管可以分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称IGFET)两类。 特点： 它是一种电压控电流的器件。它有三个电极栅极(G）,漏极（D），源级（S)，符号如下：
N沟道场效应管
P沟道场效应管
电压电流关系
工作区
1)可变电阻区 (特点:当UDS比较小时，ID,随UGS的变化而变化)
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②整流二极管
