一、半导体（了解） 1.1 基础知识 1.2 PN结 二、二级管 2.1 定义与特性 2.2 二极管的分类 三、三级管 四、MOS管 三、其他元器件管 3.1 电容 3.2 光耦 3.3 发声器件 3.4 继电器 3.5 瞬态电压抑制器 前言：本章为知识的简单复习，不适合运用于考试。 一、半导体（了解） 1.1 基础知识 导体 其原子结构中，最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，而在外电场的作用下，这些电子产生定向漂移运动，从而形成电流，一般为低价元素（铜、铁、铝) 绝缘体 其原子结构中，最外层电子受原子核的束缚力很强，不易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，因此导电性能极差，一般为高价元素（氦、氖、氩、氮等惰性气体）或高分子物质（塑料) 半导体 导电性能介于导体与绝缘体之间的物体,一般为四价元素，材料常用硅或锗，它们的最外层电子数，本身就是对，所以本身就是稳定状态,本征半导体将自然界中的半导体材料进行高温、高度提炼、使其纯度达到99.9999999%，且物理结构上呈单晶体形态当受到外界热、光等作用的，兴导电性能将明显变化,也就是说，当本征半导体的绝对温度为O时，它是不导电的  电子和空穴 在本征半导体中，一个自由电子对应一个空穴，或者说，自由电子与空穴总是成对出现。 由于没有多余的自由电子或者空穴，在热运动下，自由电子一旦碰上并进入一个空穴，此时自由电子与空穴同时消失，称之为复合运动在一定温度下，自由电子与空穴的产生和复合同时存在，称之为“动态平衡”。  N型半导体 在本征半导体中,掺入微量5价元素,如磷、锑、砷等,则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。由于杂质原子的最外层有5个价电子,因此它与周围4个硅(锗)原子组成共价键时,还多余1个价电子。它不受共价键的束缚,而只受自身原子核的束缚,因此,它只要得到较少的能量就能成为自由电子,并留下带正电的杂质离子,它不能参与导电，N型半导体中,自由电子称为多数载流子;空穴称为少数载流子。
P型半导体 在本征半导体中,掺入微量3价元素,如硼,则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。
1.2 PN结 单纯的杂质半导体和本征半导体相比仅仅是提高了导电性能，一般只能制作电阻器件，而无法制成半导体器件。如果采用一定的掺杂工艺，在一块本征半导体的两边分别掺入不同的杂质，则半导体的一边成为N型半导体，另一边就成为P型半导体了。由于两种杂质半导体的相互作用在其交界出形成了一个很薄（数量级）的特殊导电层，这就是PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。
PN结单向导电性
若将电源的正极接P区,负极接N区,则称此为正向接法或正向偏置。此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建场方向相反,削弱了自建场,使阻挡层变窄,如图所示。显然,扩散作用大于漂移作用,在电源作用下,多数载流子向对方区域扩散形成正向电流其方向由电源正极通过P区、N区到达电源负极。
若将电源的正极接N区，负极接P区，则称此为反向接法或反向偏置。此时外加电压在阻挡层内形成的电场与自建场方向相同,增强了自建场,使阻挡层变宽,如图此时漂移作用大于扩散作用,少数载流子在电场作用下作漂移运动,由于其电流方向与正向电压时相反，故称为反向电流。由于反向电流是由少数载流子所形成的,故反向电流很小，而且当外加反向电压超过零点几伏时,少数载流子基本全被电场拉过去形成漂移电流，此时反向电压再增加,载流子数也不会增加,因此反向电流也不会增加,故称为反向饱和电流 PN结特性曲线
PN结加正向电压,处于导通状态;加反向电压,处于截止状态,即PN结具有单向导电特性。 PN结处于反向偏置时,在一定电压范围内,流过PN结的电 流是很小的反向饱和电流。但是当反向电压超过某一数值(UB)后,反向电流急剧增加,这种现象称为反向击穿,如图所示。UB称为击穿电压。 PN结的击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿。 雪崩击穿 当反向电压足够高时,阻挡层内电场很强,少数载流子在结区内受强烈电场的加速作用,获得很大的能量,在运动中与其它原子发生碰撞时,有可能将价电子“打”出共价键,形成新的电子、空穴对。这些新的载流子与原先的载流子一道,在强电场作用下碰撞其它原子打出更多的电子、空穴对,如此链锁反应,使反向电流迅速增大。这种击穿称为雪崩击穿。
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