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TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit - Part 4

2025-2-13 09:48| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: 上一篇我們介紹了MOSFET 驅動電路的功耗計算,然而MOSFET 驅動電路的基本要求包括能夠向柵極施加足夠高於 Vth 的電壓,以及能夠為輸入電容充分充電的驅動能力,本篇我們將介紹一些常用的MOSFET驅動電路範例提供大家參考 ...
上一篇我們介紹了MOSFET 驅動電路的功耗計算,然而MOSFET 驅動電路的基本要求包括能夠向柵極施加足夠高於 Vth 的電壓,以及能夠為輸入電容充分充電的驅動能力,本篇我們將介紹一些常用的MOSFET驅動電路範例提供大家參考.

圖一顯示了一個基本的 MOSFET 驅動電路.實際上,在設計驅動電路時必須考慮要驅動的 MOSFET 的電容及其使用條件.

圖一:

圖一:『Basic MOSFET drive circuit』(註1) 出處 TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit Application Note.

用於負載開關應用的 MOSFET,以便電路運行時在電路中提供導通路徑,從而降低電子設備的功耗,目前,在許多應用中,MOSFET 是由邏輯電路或微控制器直接驅動的,圖二顯示了用於打開和關閉功率繼電器的電路.由於負載開關的開啟和關閉時間可能慢至幾秒,因此可以用小電流驅動 MOSFET 柵極.

圖二:

圖二:『Directly driving a MOSFET with an MCU』(註1) 出處 TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit Application Note.


有時我們需要將驅動電壓轉換為 15 V,圖三 顯示了使用Digital logic 驅動 MOSFET 範例,該電路在5V無法驅動MOSFET時提升驅動電壓,與柵極電阻R3串聯的R2增加了柵極驅動電阻,難以在飽和模式下驅動MOSFET,這會減慢 MOSFET 的開關速度,從而增加開關損耗, 反之減小R2會使MOSFET關斷期間有較大的漏極電流ID流向驅動電路,增加驅動電路的功耗.

圖三:


圖三:『Drive voltage conversion』(註1) 出處 TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit Application Note.

最後我們將介紹推挽電路,圖三所示電路的缺點是,從 digital logic 中提升驅動電壓會增加驅動電路的功耗,這個問題可以通過增加如圖四所示的推挽電路來解決當, MOSFET 的驅動電流不足時,也可以使用推挽電路,來增加驅動能力.以上就是本篇介紹的MOSFET驅動電路範例提供給大家參考.

圖四:

圖四:『Push-pull circuit』(註1) 出處 TOSHIBA MOSFET Gate Drive Circuit Application Note.

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