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功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯

2024-12-24 11:09| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: 前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,並保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將 ...

  前言  

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化矽SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,並保證系統的可靠性。

功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。

第一講《功率器件熱設計基礎(一)----功率半導體的熱阻》,已經把熱阻和電阻聯繫起來了,那自然會想到熱阻也可以通過串聯和並聯概念來做數值計算。

  熱阻的串聯  

首先,我們來看熱阻的串聯。當兩個或多個導熱層依次排列,熱量依次通過它們時,這些導熱層熱阻就構成了串聯關係。

功率模塊的散熱通路中結對散熱器熱阻Rthjh是由晶片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯構成的。串聯熱阻中,總熱阻等於各熱阻之和,這是因為熱量在傳遞過程中,需要依次克服每一個熱阻,所以總熱阻就是各熱阻的累加。

  熱阻的並聯  

當兩個或多個熱阻(導熱層)的兩端分別連接在一起,熱量可以同時通過它們時,這些熱阻就構成了並聯關係。譬如在900A 1200V EconoDUAL™3 FF900R12ME7中,900A IGBT就是由3片300A晶片並聯實現的,這三個晶片是並聯關係。

在並聯熱阻中,總熱阻的倒數等於各熱阻倒數之和。這是因為熱量在傳遞過程中,有多條路徑可以選擇,所以總熱阻會小於任何一個單獨的熱阻。3片 300A晶片並聯成900A晶片的熱阻是300A的三分之一。

需要注意的是,熱阻的串聯和並聯與電路中的電阻串聯和並聯在形式上非常相似,但它們的物理意義是不同的。熱阻是描述熱量傳遞過程中遇到的阻礙程度的物理量,而電阻則是描述電流傳遞過程中遇到的阻礙程度的物理量。所以要討論的附加效應不一樣。

綜上所述,熱阻的串聯和並聯是熱學中的基本概念,掌握它們的計算方法對於理解和分析熱量傳遞過程具有重要意義。

  功率模塊結構  

這是帶銅基板功率模塊安裝在散熱器上的結構示意圖,功率模塊由多個晶片構成。晶片功能、規格,晶片大小厚度可能不同,它們卻分享著同一塊銅基板和同一塊散熱器。
功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯

各晶片在導熱通路上有多個導熱層,在IEC 60747-15 Discrete semiconductor devices–15_Isolated power semiconductor devices按照設計的具體需要定義了結到殼的熱阻Rthjc,殼到散熱器的熱阻Rthcs及散熱器到環境的熱阻Rthsa

下圖是帶銅基板功率模塊散熱圖,模塊安裝在散熱器上,並把散熱器認為是等溫面。

功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯

註:在IEC 60747-15中的Rth(j-s),Rth(c-s)與本文中RthJH和RthCH一致。

熱阻串聯:

從圖中可以讀到,熱流依次通過各導熱層,所以熱阻是串聯關係:

譬如,結到散熱器的熱阻Rthjs就是結到殼的熱阻Rthjc及殼到散熱器的熱阻Rthcs之和。

模塊中熱阻並聯:

在功率模塊中,熱阻並聯有幾種形式:

1.IGBT或二極體晶片通過並聯實現大電流,這樣的並聯是相同面積尺寸、相同導熱性能的晶片並聯,這樣,由N個IGBT或二極體晶片並聯組成的器件中,結到殼的熱阻Rthjc是單個晶片熱阻的N分之一。前面提到的FF900R12ME7中,900A晶片組的熱阻是每個300A晶片的三分之一。


2.IGBT開關是由IGBT和續流二極體構成,而每一個模塊往往有多個IGBT開關構成,對於一個三相橋IGBT功率模塊,其由6個IGBT開關構成,每個開關由IGBT+二極體構成。
功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯
對於每種封裝,模塊對散熱器的熱阻可能會在數據手冊中給出,例如:FS450R12KE4 1200V 450 A EconoPACK™+6單元三相橋模塊,在給定的安裝條件下,RthCH為0.005K/W,由於6個開關(圖中arm,在文章中arm稱為開關)都安裝在銅基板上,所以每個開關分享散熱,每個開關的熱阻是模塊的6倍,就是RthCH_arm=0.03K/W。

數據手冊中的每個IGBT殼到散熱器的熱阻0.05K/W和二極體殼到散熱器的熱阻0.075K/W,兩者並聯構成一個開關的熱阻。


功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯

我們倒過來核算一下,由於一個模塊有6個開關,整個模塊殼到散熱器的熱阻RthCH自然就是 0.03K/W除以6,等於0.005K/W。

  定義和計算IGBT和二極體殼對散熱器的熱阻  

在熱設計中,我們的仿真計算會針對每個IGBT和二極體晶片或晶片組(晶片並聯),需要分別知道它們的殼到散熱器的熱阻RthCH,如果數據手冊只給出模塊對散熱器的熱阻,我們需要想辦法得到每個IGBT和二極體晶片或晶片組殼到散熱器的熱阻RthCH

我們已經知道散熱(熱阻)的分享原理,三相橋模塊的六個開關是平分模塊殼到散熱器的熱阻的,那麼我們只要想辦法把每個開關的熱阻分配給每個IGBT和二極體晶片就可以了。

一種簡單有效的方法是按照晶片面積分,而晶片結對殼的熱阻很好反映晶片的大小。這樣就有了如下兩個公式:

功率器件的熱設計基礎(二)——熱阻的串聯和並聯

晶片越大,分到殼對散熱器熱阻就低,散熱就好。

這裡講的是基本概念和方法,數據手冊上的殼對散熱器熱阻可以通過計算方法獲得,如FS450R12KE4 1200V 450A EconoPACK™+6單元三相橋模塊(你可以用上述公式驗證試試),也可以通過實際測量獲得,這會在後續章節詳細講解。


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