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KEC第三代超接面金氧半場效電晶體: 具有高電力密度,以Low Qg,Fast Switching的特性 ...

2024-8-16 09:05| 发布者: 闪电| 查看: 1| 评论: 0

摘要: KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計,還可實現Low EMI,可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝.KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較:KEC:600V ...
KEC SuperJunction MOSFET(超接面金氧半場效電晶體),不僅可實現系統的低消耗電力設計,還可實現Low EMI,可便於用戶設計。 具備可適用於各種電器的豐富產品線和全系列包裝.


KEC Gen.2 vs Gen.3(new)特性比較:







KEC:600V/650V第三代超接面金氧半場效電晶體產品線:





另總結KEC品質保證體系和品質管理系統:

KEC始終從客戶的角度出發,去設計和製造所有產品,從以數量為中心的製造方式轉變為品質優先的戰略。 KEC嚴格遵守技術和製造標準的同時,不斷提高產品品質。 為保證產品品質的統一水準,所有生產設施均採用統一標準和品質保證系統。 對品質努力的一慣性收穫了符合國際品質標準(ISO / TS16949:2009全球汽車產業內汽車質量系統標準)的諸多成果.


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