前言: 現今的電子3C產品，大多都追求輕、薄、短、小。同時又有高效能的需求，除了CPU及晶片組的效能提升外，其各家半導體廠也不斷的想方設法的將零件小型化外，對於其規格上的提升，也下了不少功夫。 拜MOSFET的製程能力的大幅精進下，其DIE的密度一併得以提升，同時在DIE SIZE上也得以縮小。能在相同的封裝尺寸下，放入更高規格的產品。同時，各家半導體廠也朝向高度集成化發展，DRMOS這類的產品，就成了各家半導體廠發展的重點。 DRMOS 對於CPU /GPU 電源的設計上，能帶來怎樣的優勢，以下提供三點說明:
當早期CPU/GPU 的電源是利用PWM CONTROLLER 提供PWM PULES給DRIVER元件，DRIVER元件再提供上下橋MOSFET所需的GATE 訊號給MOSFET。因需要經過重重關卡，再加上POWER元件的尺寸及內部的動態參數的問題，使其整個控制路徑會拉的很長， 大部份的操作頻率約在250KHZ 到400KHZ左右，對於CPU /GPU 的動態電流的供給上，是有捉襟見肘的冏境發生。 而DR,MOS因將其DRIVER與上下橋MOSFET合併在同一PACKAGE內，可大幅減少控制路徑的長度外，同時能將操作頻率提升到500KHZ 到850KHZ左右，更能因應CPU /GPU 的瞬間所需的動態電流。
當CPU/GPU 的效能提升時，伴隨而來的也是瓦特數的提升。當瓦特數的提升時，POWER元件，勢必就需要增加。而MULTI-PWM CONTROLLER的需求，就大大的提高了。 我們都知道，CPU/GPU 的電源是利用PWM CONTROLLER 提供PWM PULES給DRIVER元件，DRIVER元件再提供上下橋MOSFET所需的GATE 訊號給MOSFET。當CPU/GPU瓦特數提升時，上述的元件就以等倍數的增加(2→4→6→8→12)。這樣一來，在寸土寸金的PCB板材上，哪有空間放的下這麼多的元件。 反觀，DR,MOS這類高度集成化產品的優勢，在多項數電源應用的情形下，大大的減少元件數。在有限的空間內，發揮最大的效益。
當PWM CONTROLLER 的操作頻率的提升，除了對transient response的能力提升外，另一點的好處是可以縮小輸出電感及輸出電容的尺寸。 另外，DR,MOS這類高度集成化的產品，也可減少整體線路上的複雜度，而驅動此類元件無需太複雜的控制訊號，對於PWM CONTROLLER本身的腳位數、相關控制及回授訊號數，也可一併的減少。大大的提升線路的簡潔化。 |
