一、Pulse-Coding調製解調技術 類似於在一顆晶片左右兩側的微距離上實現無線射頻收發系統,在這樣一個收發系統裡面,其實包括發射機和接收機以及隔離介質三部分。 目前主流架構主要包括Pulse調製架構和OOK調製架構。Pulse架構和OOK調製架構相比的優點是低功耗、低傳輸延遲、高傳輸速率,缺點則是在有干擾信號的時候容易丟碼或增加碼造成傳輸出錯,所以CMTI的能力比較差。
二、增強耐壓技術 我們都知道隔離器的耐壓主要是由其中間絕緣介質的材料來決定的,而現在主流的絕緣材質有三 種:光耦、磁隔、容隔。光耦和磁隔所採用的絕緣介質是聚醯(音:西/xī)亞胺,容隔的絕緣介質是二氧化矽
下圖的表格可以看到,聚醯亞胺特性大約是300伏每微米,二氧化矽的耐壓大約是500伏每微米。同時由於PI也就是聚醯亞胺的製作工藝難度,一般只能做到20um左右,技術較高的話可以做到30um。
川土微電子為了實現耐壓增強的技術,從四方面做了工作:
三、高CMTI技術 所謂CMTI-- Common Mode Transient Immunity就是共模瞬態抗擾度,是指瞬態穿過隔離層以破壞驅動器輸出狀態所需的最低上升或下降dV/dt(kV/µs or V/ns,它是指在初級測(Pri)和次級測(Sec.)兩個地之間加入一個快速的擾動,然後看傳輸信號是否出錯,它的關鍵因素是擾動幅度和斜率,幅度一般為1500v,斜率一般是用千伏每微秒的單位來衡量。 川土微電子的CMTI技術包含以下三種: 全差分發射及接收機架構技術:創新的高CMTI接收電路(專利保護) 等效共模輸入阻抗控制技術:實現接收電路共模電平在CMTI情形下仍能夠正常工作 數位濾波技術:以延遲時間或更低的傳輸碼率兌換更優的CMTI性能、CMTI 的值越高越好。 四、低EMI技術 由於越來越多的客戶對EMI都非常關注,川土微電子針對EMI也實現了以下技術: 抖頻技術:將內部時鐘頻率進行展頻,將頻譜能量打散,將能量峰值降低。 晶圓上使用金屬遮罩層:在裸芯的頂層鋪滿金屬,用來遮罩電磁干擾和電場干擾。 Pulse-Coding技術:只在信號邊沿發射編碼脈衝,降低發射能量。 高增益RX電路設計:只需較小隔離電容值,便能正常解調工作,減小共模耦合。 容隔架構:通過電場傳遞信號,相比磁隔通過磁場傳遞信號,輻射天然較小。
五、全集成隔離DC-DC 全集成隔離DC-DC相當於多合一的高度集成的晶片,包括三個部分:隔離電源模組、數字隔離器、數位隔離介面。 這顆集高度集成三合一的產品,能夠將前述三者同時集成到一顆晶片裡面,晶片內部有平面變壓器、隔離器以及介面多顆裸芯合封在一起,將全集成的隔離器晶片的封裝尺寸做到業界最小,裝在一顆SOW16封裝裡。同時轉化效率達到了 53%,這在業界也是非常高的一個指標。 以上,就是川土微電子隔離器的一些核心技術。目前川土微電子的隔離器產品已經廣泛應用於工業控制、電源能源、儀器儀錶、消費電子、汽車電子等多個領域…,未來川土微電子將持續新品研發,以滿足不同客戶需求。 |